- (新)第106集 10.4 双极集成电路
- (新)第105集 10.3 CMOS集成电路工艺集成
- (新)第104集 10.2 集成电路中的隔离
- 第103集 10.1.2 金属化与多层互连（二）
- 第102集 10.1.1 金属化与多层互连（一）
- 第101集 9.3.3 刻蚀技术—干法刻蚀（三）
- 第100集 9.3.2 刻蚀技术—干法刻蚀（二）
- 第99集 9.3.1 刻蚀技术—干法刻蚀（一）
- 第98集 9.2 刻蚀技术—湿法刻蚀
- 第97集 9.1 刻蚀技术概述
- 第96集 8.3.5.3 其它曝光技术（三）
- 第95集 8.3.5.2 其它曝光技术（二）
- 第94集 8.3.5.1 其它曝光技术（一）
- 第93集 8.3.4 光学分辨率强技术
- 第92集 8.3.3 紫外曝光技术
- 第91集 8.3.2 光刻胶
- 第90集 8.3.1 光刻掩膜板制造技术
- 第89集 8.2 基本光刻工艺流程
- 第88集 8.1 光刻工艺概述
- 第87集 7.5 PVD金属及化合物薄膜
- 第86集 7.4.3 溅射（三）
- 第85集 7.4.2 溅射（二）
- 第84集 7.4.1 溅射（一）
- 第83集 7.3.3 真空蒸镀（三）
- 第82集 7.3.2 真空蒸镀（二）
- 第81集 7.3.1 真空蒸镀（一）
- 第80集 7.2.2 真空系统及真空的获得（二）
- 第79集 7.2.1 真空系统及真空的获得（一）
- 第78集 7.1 PVD概述
- 第77集 6.7 CVD金属及金属化合物薄膜
- 第76集 6.6 多晶硅薄膜的淀积
- 第75集 6.5 氮化硅薄膜淀积
- 第74集 6.4.2 二氧化硅薄膜的淀积（二）
- 第73集 6.4.1 二氧化硅薄膜的淀积（一）
- 第72集 6.3.4 CVD工艺方法（四）
- 第71集 6.3.3 CVD工艺方法（三）
- 第70集 6.3.2 CVD工艺方法（二）
- 第69集 6.3.1 CVD工艺方法（一）
- 第68集 6.2.3 CVD工艺原理（三）
- 第67集 6.2.2 CVD工艺原理（二）
- 第66集 6.2.1 CVD工艺原理（一）
- 第65集 6.1 CVD概述
- 第64集 5.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术
- 第63集 5.7 离子注入的其它应用
- 第62集 5.6 离子注入设备与工艺
- 第61集 5.5.2 退火（二）
- 第60集 5.5.1 退火（一）
- 第59集 5.4.2 注入损伤（二）
- 第58集 5.4.1 注入损伤（一）
- 第57集 5.3.3 注入离子在靶中的分布（三）
- 第56集 5.3.2 注入离子在靶中的分布（二）
- 第55集 5.3.1 注入离子在靶中的分布（一）
- 第54集 5.2.3 离子注入原理（三）
- 第53集 5.2.2 离子注入原理（二）
- 第52集 5.2.1 离子注入原理（一）
- 第51集 5.1 离子注入概述
- 第50集 4.7 扩散工艺的发展
- 第49集 4.6.3 扩散工艺质量与检测（三）
- 第48集 4.6.2 扩散工艺质量与检测（二）
- 第47集 4.6.1 扩散工艺质量与检测（一）
- 第46集 4.5.2 扩散工艺条件与方法（二）
- 第45集 4.5.1 扩散工艺条件与方法（一）
- 第44集 4.4.3 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素（三）
- 第43集 4.4.2 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素（二）
- 第42集 4.4.1 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素（一）
- 第41集 4.3.2 限定表面源扩散
- 第40集 4.3.1 恒定表面源扩散
- 第39集 4.2.2 晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程（二）
- 第38集 4.2.1 晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程（一）
- 第37集 4.1 扩散机构
- 第36集 3.6 其它热氧化方法
- 第35集 3.5.3 氧化层的质量及检测
- 第34集 3.5.2 氧化层成膜质量的测量
- 第33集 3.5.1 氧化层厚度测量
- 第32集 3.4.2 再分布对硅表面杂质浓度的影响
- 第31集 3.4.1 杂质的分凝效应
- 第30集 3.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备
- 第29集 3.2.5 影响氧化速率的各种因素
- 第28集 3.2.4 热氧化生长速率
- 第27集 3.2.3 Deal-Grove热氧化模型
- 第26集 3.2.2 热氧化机理
- 第25集 3.2.1 热氧化工艺
- 第24集 3.1.2 二氧化硅薄膜概述（二）
- 第23集 3.1.1 二氧化硅薄膜概述（一）
- 第22集 2.5.2 外延层缺陷及检测（二）
- 第21集 2.5.1 外延层缺陷及检测（一）
- 第20集 2.4 其它外延方法
- 第19集 2.3 分子束外延
- 第18集 2.2.5 外延设备与技术
- 第17集 2.2.4 外延掺杂
- 第16集 2.2.3 外延速率的影响因素
- 第15集 2.2.2 外延原理
- 第14集 2.2.1 硅的气相外延工艺
- 第13集 2.1 外延概述
- 第12集 1.3.2 硅片制备（二）
- 第11集 1.3.1 硅片制备（一）
- 第10集 1.2.3 单晶生长（三）
- 第9集 1.2.2 单晶生长（二）
- 第8集 1.2.1 单晶生长（一）
- 第7集 1.1 多晶硅制备
- 第6集 0.4.3 硅晶体中的缺陷与杂质（二）
- 第5集 0.4.2 硅晶体中的缺陷与杂质（一）
- 第4集 0.4.1 半导体单晶硅有什么特性？
- 第3集 0.3 微电子工艺有什么特点？
- 第2集 0.2 微电子工艺的发展历程如何？
- 第1集 0.1 微电子工艺是讲什么的？
微电子工艺是一门介绍半导体集成电路制造技术的课程。我们每个人身边都会有几件电子产品，如电子钥匙、手机、平板电脑等，它们的核心部件都是集成电路芯片，通过本课程的学习能使大家了解这些芯片是如何做出来的以及为什么随着它们性能的飞速提高，体积却能够越来越小，价格也能不断降低。（哈尔滨工业大学）
关注公众号:diyijc_com 问题反馈
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微电子工艺是一门介绍半导体集成电路制造技术的课程。我们每个人身边都会有几件电子产品，如电子钥匙、手机、平板电脑等，它们的核心部件都是集成电路芯片，通过本课程的学习能使大家了解这些芯片是如何做出来的以及为什么随着它们性能的飞速提高，体积却能够越来越小，价格也能不断降低。（哈尔滨工业大学）
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